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【摘要】:研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶。该研究是针对坩埚盖 (籽晶粘附于坩埚盖上 )和炉盖之间的传热行为进行的。研究

晶体AB型共价化合物.若原子外层电子数之和为8.常是具有半导体性质的原子晶体.已知金刚石不导电而导热.锆石不导电也不导热.却硬似钻石.近期用制耐热器的碳化硅

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摘要:物理气相输运法(PVT)是实验室为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法。本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传

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推荐引用方式GB/T 7714 苏国萍,唐大伟,郑兴华,等. 3ω方法测量各向异性SiC晶体的导热系数[C]. 见:中国工程热物理学会(传热传质学). 2010. 入库

高度可烧结β碳化硅、α碳化硅和碳化硼粉末(SINTERPur®)由于其成熟的烧结机械性能,以及传统的耐腐蚀/抗氧化性、高硬度和良好的导热性,非常适合加工成部件。

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