2009年5月6日 名称:等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素的方法 技术领域:本发明涉及金属硅中难熔(高熔点)元素的去除,尤其涉及去除金属硅中所含的钛(Ti, 熔点1

2007年4月2日 难熔金属硅化物(Mo<[D].兰州理工大学,2010.160. [4] 孟广斌.选区激光熔化成形Ti基纳米复合材料的工艺、组织及性能[D].南京航空航天大学,2012.107. [5

答案: 铜熔点1080度,硅熔点1420度,所以用纯硅无法融解在铜中,否则铜液过热了。 必须将硅做成合金,以中间合金的形态加入铜融液,可以了,中间合金有比较

2006年1月10日 摘要: 以Mo 、Ni、Si 金属粉末为原料, 利用激光熔化沉积工艺制备出以难熔金属Mo 初生树枝晶为增韧相,以三元金属硅化物Mo2Ni3 Si 为基体的金属硅化物耐

回答:这个是个非常专业的问题,中频炉熔化硅粉是做工业硅?建议你结合你的配料要求,去专业找专业的答案为好。您好 请问我买的硅溶胶 怎么测硅含量呢 下载这个工业

[0003]在传统的金属硅生产中,提高金属硅产品质量、扩大产品品种的主要是通过"清洁原料"(即采用清洁的矿产品和优质还原剂)、强化精炼或熔化重结晶后用酸去除标的

铜熔点1080度,硅熔点1420度,所以用纯硅无法融解在铜中,否则铜液过热了。必须将硅做成合金,以中间合金的形态加入铜融液,可以了,中间合金有比较特别的熔炼

本发明涉及硅材料生产技术领域,尤其涉及一种使金属硅熔化的微波加热方法。背景技术金属硅是多晶硅又称结晶硅或工业硅,其概念与半导体硅相对。金属硅是由石英和焦炭在

本发明涉及硅材料生产技术领域,尤其涉及一种使金属硅熔化的微波加热方法。背景技术金属硅是多晶硅又称结晶硅或工业硅,其概念与半导体硅相对。金属硅是由石英和焦炭在

2007年4月2日 难熔金属硅化物(Mo<[D].兰州理工大学,2010.160. [4] 孟广斌.选区激光熔化成形Ti基纳米复合材料的工艺、组织及性能[D].南京航空航天大学,2012.107. [5

2006年1月10日 摘要: 以Mo 、Ni、Si 金属粉末为原料, 利用激光熔化沉积工艺制备出以难熔金属Mo 初生树枝晶为增韧相,以三元金属硅化物Mo2Ni3 Si 为基体的金属硅化物耐

销售及进出口难溶金属低温熔化产品,合金添加剂,节能产品,晶粒细化剂,半导体及太阳能电池用多晶硅的硅粉体材料,各种金属粉体用于高速自动焊接用材料,化工用金属硅颗粒

本发明涉及硅材料生产技术领域,尤其涉及一种使金属硅熔化的微波加热方法。 背景技术: 金属硅是多晶硅又称结晶硅或工业硅,其概念与半导体硅相对。金属硅是由石英和焦

答案: 铜熔点1080度,硅熔点1420度,所以用纯硅无法融解在铜中,否则铜液过热了。 必须将硅做成合金,以中间合金的形态加入铜融液,可以了,中间合金有比较

铜熔点1080度,硅熔点1420度,所以用纯硅无法融解在铜中,否则铜液过热了。必须将硅做成合金,以中间合金的形态加入铜融液,可以了,中间合金有比较特别的熔炼

回答:这个是个非常专业的问题,中频炉熔化硅粉是做工业硅?建议你结合你的配料要求,去专业找专业的答案为好。您好 请问我买的硅溶胶 怎么测硅含量呢 下载这个工业

本发明涉及硅材料生产技术领域,尤其涉及一种使金属硅熔化的微波加热方法。 背景技术: 金属硅是多晶硅又称结晶硅或工业硅,其概念与半导体硅相对。金属硅是由石英和焦

2009年5月6日 名称:等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素的方法 技术领域:本发明涉及金属硅中难熔(高熔点)元素的去除,尤其涉及去除金属硅中所含的钛(Ti, 熔点1

铜熔点1080度,硅熔点1420度,所以用纯硅无法融解在铜中,否则铜液过热了。必须将硅做成合金,以中间合金的形态加入铜融液,可以了,中间合金有比较特别的熔炼

销售及进出口难溶金属低温熔化产品,合金添加剂,节能产品,晶粒细化剂,半导体及太阳能电池用多晶硅的硅粉体材料,各种金属粉体用于高速自动焊接用材料,化工用金属硅颗粒

2007年4月2日 【摘要】:采用极化曲线,塔菲尔图(TafelPlot),交流阻抗(EIS)及浸泡腐蚀技术,研究了激光熔化沉积γ/Mo2Ni3Si合金在不同酸,碱,盐介质中的腐蚀行为。结果

[0003]在传统的金属硅生产中,提高金属硅产品质量、扩大产品品种的主要是通过"清洁原料"(即采用清洁的矿产品和优质还原剂)、强化精炼或熔化重结晶后用酸去除标的